壓電陶瓷傳感器可以用于測量納米級（nm）至微米級（μm）的微小位移，主要基于逆壓電效應(yīng)（施加電壓產(chǎn)生形變）或正壓電效應(yīng)（位移引起電荷變化）。以下是詳細分析：

(1)逆壓電效應(yīng)驅(qū)動（主動測量）

原理：在壓電陶瓷上施加電壓，其會產(chǎn)生微米/納米級形變，形變量與電壓成正比：

適用場景：

·精密定位（如掃描探針顯微鏡、光學(xué)調(diào)整）。

·閉環(huán)控制（結(jié)合位移反饋傳感器，如電容或激光干涉儀）。

(2)正壓電效應(yīng)檢測（被動測量）

原理：當(dāng)壓電陶瓷受到微小位移（如振動、壓力）時，其表面會產(chǎn)生電荷，電荷量與位移相關(guān)：

適用場景：

·動態(tài)位移測量（如振動傳感器、聲學(xué)檢測）。

·高分辨率但需電荷放大器（避免電荷泄漏）。